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SI1902DL-T1-E3|VISHAY
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SI1902DL-T1-E3
制造商型号： SI1902DL-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： 双 N 沟道 20 V 0.385 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-363
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: Dual N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.385 Ω
  • Qg Gate Charge: 1.2 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.27 W

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