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SI1865DL-T1
制造商型号： SI1865DL-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 1.8-8V 1.2A
技术参考：

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产品信息

制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

否

晶体管极性:

N and P-Channel

汲极/源极击穿电压:

8 V

漏极连续电流:

1.2 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

215 mOhms

配置:

Dual

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-363-6

封装:

Reel

最小工作温度:

- 55 C

功率耗散:

400 mW

工厂包装数量:

3000

商标名:

TrenchFET

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