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SI1563EDH-T1-E3|VISHAY
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SI1563EDH-T1-E3
制造商型号： SI1563EDH-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： N 和 P 沟道 20 V 0.28/0.49 Ohms 低阈值 功率 Mosfet - SOT-363
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: N & P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.28 / 0.49 Ω
  • Qg Gate Charge: 1 / 1.8 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.57 W

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