SI1450DH-T1-GE3,SI1450DH-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SI1450DHT1GE3原装现货,PDF下载
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SI1450DH-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI1450DH-T1-GE3
制造商型号: SI1450DH-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 8V 6.04A SC70-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SI1450DH
产品相片 SOT-363 PKG
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.53A (Ta), 6.04A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)47 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)7.05nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)535pF @ 4V
功率 - 最大值2.78W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SC-70-6

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