SI1419DH-T1-E3,SI1419DH-T1-E3|VISHAY代理分销-SI1419DHT1E3原装现货,PDF下载
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SI1419DH-T1-E3|VISHAYSI1419DH-T1-E3
VISHAY		P-Channel 200 V 5 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - SC-70-3
Rohs

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SI1419DH-T1-E3|VISHAYSI1419DH-T1-E3
VISHAY		P-Channel 200 V 5 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - SC-70-3
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SI1419DH-T1-E3|VISHAY SILICONIXSI1419DH-T1-E3
VISHAY SILICONIX		MOSFET 200V 0.38A 1.56W 5.0 ohms @ 10V
Rohs

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SI1419DH-T1-E3|Vishay SiliconixSI1419DH-T1-E3
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6
Rohs

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Vishay Siliconix - SI1419DH-T1-E3 - MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）

型号：SI1419DH-T1-E3
仓库库存编号：SI1419DH-T1-E3CT-ND
别名：SI1419DH-T1-E3CT
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SI1419DH-T1-E3|VISHAY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI1419DH-T1-E3
制造商型号： SI1419DH-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： P-Channel 200 V 5 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - SC-70-3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
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由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 5 mΩ
  • Qg Gate Charge: 6.2 nC
  • Rated Power Dissipation: 1 W

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