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SI1414DH-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI1414DH-T1-GE3
制造商型号: SI1414DH-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 30 Volts 4 Amps 2.8 Watts
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:8 V
漏极连续电流:4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):37 mOhms
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SC-70-6
封装:Reel
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:2.8 W
零件号别名:SI1414DH-GE3

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