数据列表 | SI1051X |
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产品相片 | Pkg 5880 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 8V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1.2A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 122 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.45nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 560pF @ 4V |
功率 - 最大值 | 236mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SC-89-6 |
产品目录页面 | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI1051X-T1-GE3TR SI1051XT1GE3 |