型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 | 34731 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥9.47 ¥5.9 ¥9.47 ¥2.9 ¥2.61 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 | 34731 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥9.47 ¥5.9 ¥9.47 ¥2.9 ¥2.61 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 | 30000 3000起订 | 3000+ 6000+ 9000+ 15000+ 21000+ 30000+ | ¥2.24 ¥2.05 ¥2.24 ¥1.85 ¥1.79 ¥1.73 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI1050X-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R - Tape and Reel (Alt: SI1050X-T1-GE3) | 0 3000起订 | 3000+ 6000+ 12000+ 18000+ 24000+ | ¥2.07 ¥2.06 ¥1.72 ¥1.7 ¥1.69 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI1050X-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SC89-6 | 0 3000起订 | 3000+ | ¥1.93 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI1050X-T1-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
SI1050X-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6 | 查价格库存 查看详细 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
制造商零件编号: SI1050X-T1-GE3 品牌: Vishay 库存编号: 812-3035 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6 | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6 | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6 详细描述:表面贴装 N 沟道 1.34A(Ta) 236mW(Ta) SC-89-6 型号:SI1050X-T1-GE3 仓库库存编号:SI1050X-T1-GE3CT-ND 别名:SI1050X-T1-GE3CT | 无铅 | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
Siliconix / Vishay SI1050X-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 1.34 A, 8 V, 6-Pin SC-89 型号:SI1050X-T1-GE3 仓库库存编号:70616135 | 搜索 |
数据列表 | SI1050X |
---|---|
产品相片 | Pkg 5880 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
漏源极电压 (Vdss) | 8V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1.34A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 86 毫欧 @ 1.34A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11.6nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 585pF @ 4V |
功率 - 最大值 | 236mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SC-89-6 |
其它名称 | SI1050X-T1-GE3TR SI1050XT1GE3 |