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SGW23N60UFDTM
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ON Semiconductor

IGBT Transistors 600V/ 12A

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SGW23N60UFDTM
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Fairchild Semiconductor Corporation  

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Fairchild/ON Semiconductor - SGW23N60UFDTM - IGBT 600V 23A 100W D2PAK
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 23A 100W D2PAK

详细描述:IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK

型号:SGW23N60UFDTM
仓库库存编号:SGW23N60UFDTM-ND
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SGW23N60UFDTM|Fairchild SemiconductorSGW23N60UFDTM
Fairchild Semiconductor
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SGW23N60UFDTM|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SGW23N60UFDTM
制造商型号: SGW23N60UFDTM
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: IGBT W/DIODE 600V 12A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
数据列表 SGW23N60UFD
D2-PAK Tape and Reel Data
产品相片 TO-263
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列-
包装  带卷 (TR)  
IGBT 类型-
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)2.6V @ 15V,12A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)23A
Current - Collector Pulsed (Icm)92A
功率 - 最大值100W
Switching Energy250µJ
输入类型标准
Gate Charge49nC
Td (on/off) A 25°C17ns/60ns
Test Condition300V, 12A, 23 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)42ns
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型表面贴装
供应商器件封装D²PAK

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