SGSD200,SGSD200|STMicroelectronics代理分销-SGSD200原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | SGSDx00 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 25A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 3.5V @ 80mA，20A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500µA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 500 @ 10A，3V |
| 功率 - 最大值 | 130W |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-7422-5 SGSD200-ND |
