SGD02N120,SGD02N120|Infineon Technologies代理分销-SGD02N120原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | SGx02N120 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-252-3 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.6V @ 15V，2A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 6.2A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.6A |
| 功率 - 最大值 | 62W |
| Switching Energy | 220µJ |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 11nC |
| Td (on/off) A 25°C | 23ns/260ns |
| Test Condition | 800V, 2A, 91 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | SGD02N120-ND SP000012566 |
