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RZQ050P01TR
- 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A TSMT6 - RZQ050P01TR
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RZQ050P01TR
制造商型号:
RZQ050P01TR
制造商:
ROHM
描述:
场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A TSMT6
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A TSMT6
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: -5A
漏源电压, Vds: -12V
在电阻RDS(上): 0.019ohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
功耗, Pd: 1.25W
封装类型: TSMT
针脚数: 6
MSL: MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
手机网站相关详细信息:
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旗下站点
www.szcwdz.cn
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型号: RZQ050P01TR 品牌: ROHM 备注: 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A TSMT6
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