数据列表 | RZE002P02 |
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产品相片 | SC-75-3_EMT3 |
产品培训模块 | MOSFETs |
产品目录绘图 | RUE Series EMT-3 |
特色产品 | ECOMOS? Series MOSFETs |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,1.2V 驱动 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 200mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.4nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 115pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
供应商器件封装 | EMT3 |
产品目录页面 | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | RZE002P02TLTR |