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RTF025N03TL
- 场效应管 MOSFET N VGS -2.5 V - RTF025N03TL
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RTF025N03TL
制造商型号:
RTF025N03TL
制造商:
ROHM
描述:
场效应管 MOSFET N VGS -2.5 V
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N VGS -2.5 V
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 2.5A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 98mohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
功耗, Pd: 800mW
封装类型: TUMT
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
上升时间: 15ns
下降时间: 11ns
封装/箱盒: TUMT3
晶体管类型: 被保护的MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量: 2.5V
电压, Vds 典型值: 30V
电容值, Ciss 典型值: 270pF
电流, Idm 脉冲: 10A
表面安装器件: SMD
针脚配置: G(1),D(2),S(3)
阈值电压, Vgs th 最低: 500mV
阈值电压, Vgs th 最高: 1.5V
产地: TH Thailand
手机网站相关详细信息:
RTF025N03TL
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
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旗下站点
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相关详细信息:
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型号: RTF025N03TL 品牌: ROHM 备注: 场效应管 MOSFET N VGS -2.5 V
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