RT1A050ZPTR,RT1A050ZPTR|Rohm Semiconductor代理分销-RT1A050ZPTR原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | RT1A050ZP |
|---|---|
| 产品相片 | TSST8 |
| 产品目录绘图 | MOSFET TSST-8 |
| 特色产品 | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 26 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 34nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2800pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSST |
| 供应商器件封装 | TSST8 |
| 产品目录页面 | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
