RSQ015N06TR,RSQ015N06TR|Rohm Semiconductor代理分销-RSQ015N06TR原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | RSQ015N06 |
|---|---|
| 产品相片 | TSMT6_TSMT6 Pkg |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.5A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 290 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
