RQ1A060ZPTR,RQ1A060ZPTR|Rohm Semiconductor代理分销-RQ1A060ZPTR原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | RQ1A060ZP |
|---|---|
| 产品相片 | TSMT8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 23 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 34nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2800pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
| 其它名称 | RQ1A060ZPTR-ND RQ1A060ZPTRTR |
