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| RN4602TE85LF [更多] | Toshiba America Electronic Components | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| RN4602TE85LF [更多] | Toshiba America Electronic Components | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V RoHS: Compliant | 搜索 |
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| RN4602(TE85L,F) [更多] | Toshiba America Electronic Components | Pre-Biased BJT RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| RN4602%28TE85L%2CF | Toshiba | NPN/PNP 晶体管 50V 0.1A 10/10k SM6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 型号：RN4602TE85LF 仓库库存编号：RN4602TE85LFCT-ND 别名：RN4602TE85LFCT | 无铅 | 搜索 |
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 | RN4602(TE85L,F Toshiba | NPN/PNP 晶体管 50V 0.1A 10/10k SM6 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型电阻比 | 1 | |
| 典型输入电阻器 | 10 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 封装类型 | 2-3N1A | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 1.1mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管类型 | NPN，PNP | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最大发射极-基极电压 | 10 (NPN) V, -10 (PNP) V | |
| 最大连续集电极电流 | 100 (NPN) mA, -100 (PNP) mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 (NPN) V, -50 (PNP) V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.3 (NPN) V, -0.3 (PNP) V | |
| 最小直流电流增益 | 50 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 配置 | 双 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1.1mm |
