RMW200N03TB,RMW200N03TB|Rohm Semiconductor代理分销-RMW200N03TB原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | RMW200N03 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 20A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1780pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 8-PSOP |
| 其它名称 | RMW200N03TBTR |
