| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| RJP60F4DPM-00#T1 [更多] | Renesas Electronics Corporation | IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| RJP60F4DPM-00#T1 [更多] | Renesas Electronics Corporation | IGBT Transistors Power Module - Lead Free RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| RJP60F4DPM-00%23T1 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Renesas Electronics America IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM 详细描述：IGBT Trench 600V 60A 41.2W Through Hole TO-3PFM 型号：RJP60F4DPM-00#T1 仓库库存编号：RJP60F4DPM-00#T1-ND 别名：RJP60F4DPM00T1 | 无铅 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | RJP60F4DPM-00#T1 Renesas Electronics America | IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| RJP60F4DPM-00#T1 Renesas Electronics America | IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | RJP60F4DPM |
|---|---|
| 产品相片 | TO-3PFM |
| 标准包装 | 100 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | 沟道 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.82V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| 功率 - 最大值 | 41.2W |
| Switching Energy | - |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) A 25°C | 45ns/70ns |
| Test Condition | 400V，30A，5 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-3PFM，SC-93-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3PFM |
| 其它名称 | RJP60F4DPM00T1 |
