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RJP020N06T100
- 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT-89 - RJP020N06T100
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RJP020N06T100
制造商型号:
RJP020N06T100
制造商:
ROHM
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT-89
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT-89
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 2A
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS(上): 165mohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4.5V
功耗, Pd: 500mW
封装类型: SOT-89
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
漏极电流, Id 最大值: 2A
电压, Vgs 最高: 12V
手机网站相关详细信息:
RJP020N06T100
旗下站点
www.szcwdz.cn
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询价
业务受理时间:周一至周五(上午9:00~下午18:00),下午17:00之前的订单当日发货,17:00之后的订单次日发货(周日、节假日顺延),推荐合作货运物流:顺丰快递。快递费用:23元。
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型号: RJP020N06T100 品牌: ROHM 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT-89
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