典型关断延迟时间 | 40 ns | |
典型接通延迟时间 | 8 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 5 nC V @ 4 | |
典型输入电容值@Vds | 160 pF V @ 10 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 2.5mm | |
封装类型 | MPT | |
尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm | |
引脚数目 | 4 | |
最大功率耗散 | 2000 mW | |
最大栅源电压 | ±12 V | |
最大漏源电压 | 60 V | |
最大漏源电阻值 | 0.24 Ω | |
最大连续漏极电流 | 2 A | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 4.5mm | |
高度 | 1.5mm |