| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| RJK60S5DPE-00%23J3 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 20A LDPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | RJK60S5DPE-00#J3 Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 20A LDPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | RJK60S5DPE |
|---|---|
| 产品相片 | LDPAK |
| 特色产品 | SuperJunction (SJ) MOSFETs |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 超级结 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 20A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 178 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-83 |
| 供应商器件封装 | 4-LDPAK |
| 其它名称 | RJK60S5DPE-00#J3TR RJK60S5DPE00J3 |
