典型关断延迟时间 | 44 ns | |
典型接通延迟时间 | 26 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时,17.5 常闭 | |
典型输入电容值@Vds | 25 V 时,1020 pF | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 8.6mm | |
封装类型 | LDPAK | |
尺寸 | 10.2 x 8.6 x 4.44mm | |
引脚数目 | 4 | |
最大功率耗散 | 104.1 W | |
最大栅源电压 | +30 V | |
最大漏源电压 | 600 V | |
最大漏源电阻值 | 0.57 Ω | |
最大连续漏极电流 | 16 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
长度 | 10.2mm | |
高度 | 4.44mm |