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RJK0655DPB-00#J5
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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RJK0655DPB-00#J5
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET Power MOSFET

RoHS: Compliant

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RJK0655DPB-00-J5
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R - Tape and Reel (Alt: RJK0655DPB-00#J5)

RoHS: Compliant

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RJK0655DPB-00-J5
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: RJK0655DPB-00#J5)

RoHS: Compliant

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RJK0655DPB-00#J5
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

RoHS: Compliant

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RJK0655DPB-00#J5
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

RoHS: Compliant

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Renesas Electronics America - RJK0655DPB-00#J5 - MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 60W(Tc) LFPAK

型号:RJK0655DPB-00#J5
仓库库存编号:RJK0655DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0655DPB-00#J5-ND <br>RJK0655DPB-00#J5TR <br>

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RJK0655DPB|RENESASRJK0655DPB
RENESAS
场效应管 MOSFET N沟道 60V 35A LFPAK
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Renesas Electronics
MOSFET,N沟道,60V,35A,LFPAK5
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Renesas Electronics America
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MOSFET,N沟道,60V,35A,LFPAK5
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RJK0655DPB|RENESAS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
RJK0655DPB
制造商型号: RJK0655DPB
制造商: RENESAS
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 60V 35A LFPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 60V 35A LFPAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 35A
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS(上): 5.3mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 60W
  • 封装类型: SC-100
  • 针脚数: 5
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 60W
  • 漏极电流, Id 最大值: 35A
  • 电压, Vgs 最高: 20V

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