数据列表 | RJK03E2DNS |
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标准包装 | 5,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 16A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 9 毫欧 @ 8A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 7.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1540pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 12.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 8-HWSON(3.3x3.3) |
其它名称 | RJK03E2DNS-00#J5-ND RJK03E2DNS-00#J5TR |