| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| RJK03C1DPB-00%23J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） LFPAK 型号：RJK03C1DPB-00#J5 仓库库存编号：RJK03C1DPB-00#J5CT-ND 别名：RJK03C1DPB-00#J5CT RJK03C1DPB00J5 | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | RJK03C1DPB |
|---|---|
| 产品相片 | 5-LFPAK, SC-100 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 60A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 42nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6000pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 65W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| 供应商器件封装 | LFPAK |
| 其它名称 | RJK03C1DPB-00#J5-ND RJK03C1DPB-00#J5TR |
