典型关断延迟时间 | 33.9 ns | |
典型接通延迟时间 | 7.3 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC V @ 4.5 | |
典型输入电容值@Vds | 810 pF V @ 10 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 5.1mm | |
封装类型 | WPAK-D2 | |
尺寸 | 6.1 x 5.1 x 0.8mm | |
引脚数目 | 8 | |
最大功率耗散 | 10(晶体管 1)W,25(晶体管 2)W | |
最大栅源电压 | ±20(晶体管 1)V,±20(晶体管 2)V | |
最大漏源电压 | 25(晶体管 1)V,25(晶体管 2)V | |
最大漏源电阻值 | 13.7 mΩ | |
最大连续漏极电流 | 15(晶体管 1)A,40(晶体管 2)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 三漏极、三源 | |
长度 | 6.1mm | |
高度 | 0.8mm |