QS8M13TCR,QS8M13TCR|Rohm Semiconductor代理分销-QS8M13TCR原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | QS8M13 |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6A，5A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.5nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 390pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
| 其它名称 | QS8M13TCRTR |
