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PTFB182503EL V1
- 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 - PTFB182503ELV1
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PTFB182503EL V1
制造商型号:
PTFB182503EL V1
制造商:
Infineon Technologies
描述:
射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
Infineon
产品种类:
射频MOSFET电源晶体管
配置:
Single
汲极/源极击穿电压:
65 V
漏极连续电流:
1.85 A
闸/源击穿电压:
10 V
最大工作温度:
+ 125 C
封装 / 箱体:
H-33288-6
封装:
Tray
最小工作温度:
- 40 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):
30 mOhms
零件号别名:
FB182503ELV1NP
手机网站相关详细信息:
PTFB182503EL V1
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
PTFB182503EL V1
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: PTFB182503EL V1 品牌: Infineon Technologies 备注: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
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