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PTFA181001HLV1R250
制造商型号： PTFA181001HLV1R250
制造商： Infineon Technologies
描述： 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC
技术参考：

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产品信息

制造商:

Infineon

产品种类:

射频MOSFET电源晶体管

RoHS:

符合

配置:

Single

晶体管极性:

N-Channel

频率:

1.8 GHz to 1.88 GHz

增益:

16.5 dB

输出功率:

100 W

汲极/源极击穿电压:

65 V

漏极连续电流:

750 mA

闸/源击穿电压:

12 V

最大工作温度:

+ 150 C

封装 / 箱体:

PG-37248-2

封装:

Reel

安装风格:

SMD/SMT

功率耗散:

407 W

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