PSMN3R8-100BS,118,PSMN3R8-100BS,118|NXP Semiconductors-PSMN3R8100BS118原装现货,PDF下载
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MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: PSMN3R8-100BS,118)

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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: PSMN3R8-100BS,118)

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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: PSMN3R8-100BS,118)

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PSMN3R8-100BS/D2PAK/REEL13//

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PSMN3R8 Series 100 V 3.9 mOhm N-Channel Standard Level MOSFET - D2PAK-3

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 120A, 306W, D2PAK

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Nexperia USA Inc. - PSMN3R8-100BS,118 - MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK

型号:PSMN3R8-100BS,118
仓库库存编号:1727-7109-1-ND
别名:1727-7109-1
568-9479-1
568-9479-1-ND
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PSMN3R8-100BS,118|NXP Semiconductors
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PSMN3R8-100BS,118
制造商型号: PSMN3R8-100BS,118
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N CH 100V 120A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 PSMN3R8-100BS
产品相片 TO-263
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)120A (Tmb)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)9900pF @ 50V
功率 - 最大值306W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
其它名称568-9479-2
PSMN3R8100BS118

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