型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PSMN3R8-100BS,118 [更多] | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
PSMN3R8-100BS,118 [更多] | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
PSMN3R8-100BS,118 [更多] | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PSMN3R8-100BS,118 [更多] | Nexperia | MOSFET Std N-chanMOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PSMN3R8-100BS,118 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PSMN3R8-100BS,118 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: PSMN3R8-100BS,118) RoHS: Compliant | 搜索 |
PSMN3R8-100BS,118 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: PSMN3R8-100BS,118) RoHS: Compliant | 搜索 |
PSMN3R8-100BS,118 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: PSMN3R8-100BS,118) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PSMN3R8-100BS,118 [更多] | Nexperia | PSMN3R8-100BS/D2PAK/REEL13//
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PSMN3R8-100BS,118 [更多] | Nexperia | PSMN3R8 Series 100 V 3.9 mOhm N-Channel Standard Level MOSFET - D2PAK-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PSMN3R8-100BS118 [更多] | NXP Semiconductors |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PSMN3R8-100BS.118 [更多] | Nexperia | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 120A, 306W, D2PAK
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
PSMN3R8-100BS,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N CH 100V 120A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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![]() | Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK 型号:PSMN3R8-100BS,118 仓库库存编号:1727-7109-1-ND 别名:1727-7109-1 568-9479-1 568-9479-1-ND | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | PSMN3R8-100BS |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 120A (Tmb) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.9 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 170nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 9900pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 306W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 568-9479-2 PSMN3R8100BS118 |