PSMN2R6-30YLC,PSMN2R6-30YLC|NXP-PSMN2R630YLC原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 操作
PSMN2R6-30YLC,115
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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

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PSMN2R6-30YLC,115
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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

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MOSFET N-Ch 30V 2.8mOhms

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R - Tape and Reel (Alt: PSMN2R6-30YLC,115)

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: PSMN2R6-30YLC,115)

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: PSMN2R6-30YLC,115)

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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N-Channel 30 V 2.8 mOhm 39 nC SMT Logic Level Mosfet - LFPAK

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N-Channel 30 V 2.8 mOhm 39 nC SMT Logic Level Mosfet - LFPAK

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PSMN2R6-30YLC NXP 场效应管 MOSFET N沟道 30V 100A LFPAK 查看库存、价格及货期
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Nexperia USA Inc. - PSMN2R6-30YLC,115 - MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK		Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8

型号：PSMN2R6-30YLC,115
仓库库存编号：1727-5300-1-ND
别名：1727-5300-1 <br>568-6730-1 <br>568-6730-1-ND <br>

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PSMN2R6-30YLC|NXPPSMN2R6-30YLC
NXP		场效应管 MOSFET N沟道 30V 100A LFPAK
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无图PSMN2R6-30YLC 115
NXP Semiconductors		MOSFET N-Ch 30V 2.8mOhms
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PSMN2R6-30YLC,115|NXPPSMN2R6-30YLC,115
NXP		PSMN2R6 系列 30 V 3.65 mOhm N 沟道 逻辑电平 MosFet - POWERSO-8
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NXP		原厂原装货
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PSMN2R6-30YLC,115|NXP SemiconductorsPSMN2R6-30YLC,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
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NXP		PSMN2R6 系列 30 V 3.65 mOhm N 沟道 逻辑电平 MosFet - POWERSO-8
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PSMN2R6-30YLC|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PSMN2R6-30YLC
制造商型号： PSMN2R6-30YLC
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 30V 100A LFPAK
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 30V 100A LFPAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 100A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 0.00235ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.54V
  • 功耗, Pd: 106W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: SOT-669
  • 针脚数: 4
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范???: -55°C 至 +175°C

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