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PSMN1R7-30YL|NXP
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PSMN1R7-30YL
制造商型号： PSMN1R7-30YL
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 30V 100A SOT669
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 30V 100A SOT669
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 100A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 1.29mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.7V
  • 功耗, Pd: 109W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-669
  • 针脚数: 4
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 109W
  • 功耗, Pd: 109W
  • 封装/箱盒: SOT-669
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 15A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻最大值: 1.7mohm
产地： PH Philippines

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