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PSMN1R1-30EL|NXP
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PSMN1R1-30EL
制造商型号： PSMN1R1-30EL
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A SOT226
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A SOT226
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 120A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 0.0011ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.7V
  • 功耗, Pd: 338W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: SOT-226
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C

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