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PMZ250UN315
- 场效应管 MOSFET N沟道 20V 2.28A SOT883 - PMZ250UN315
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PMZ250UN315
制造商型号:
PMZ250UN315
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 20V 2.28A SOT883
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 20V 2.28A SOT883
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 200mA
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS(上): 300mohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 700mV
功耗, Pd: 2.5W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-883
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
封装/箱盒: SOT-883
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
晶体管类型: 增强
漏极电流, Id 最大值: 2.28A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
电压, Vds 典型值: 20V
电压, Vgs 最高: 700mV
表面安装器件: SMD
手机网站相关详细信息:
PMZ250UN315
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
PMZ250UN315
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: PMZ250UN315 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 20V 2.28A SOT883
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