PMGD8000LN,115,PMGD8000LN,115|NXP Semiconductors代理分销-PMGD8000LN115原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | PMGD8000LN |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 PKG |
| PCN Obsolescence | Multiple Devices 03/Jul/2013 |
| PCN Design/Specification | Resin Hardener 02/Jul/2013 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 125mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 350pC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 18.5pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 产品目录页面 | 1507 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 568-2370-2 934057621115 PMGD8000LN T/R |
