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PMGD280UN,11
制造商型号: PMGD280UN,11
制造商: NXP
描述: MOSFET,双,N沟道,20V,0.87A,SOT363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间18.5 ns
典型接通延迟时间4.5 ns
典型栅极电荷@Vgs0.89 常闭 V @ 4.5
典型输入电容值@Vds45 pF V @ 20
安装类型表面贴装
宽度1.35mm
封装类型SOT-363
尺寸2.2 x 1.35 x 1mm
引脚数目6
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散0.4 W
最大栅源电压±8 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.34 Ω
最大连续漏极电流0.87 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度2.2mm
高度1mm

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