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PMF780SN%2C115 NXP PMF 系列 60 V 0.92 mΩ 0.56 W N沟道 μTrenchMOS 标准电平 FET - SOT-323 查看库存、价格及货期
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NXP USA Inc. - PMF780SN,115 - MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323		NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 570mA（Ta） 560mW（Tc） SOT-323-3

型号：PMF780SN,115
仓库库存编号：PMF780SN,115-ND
别名：934057708115 <br>PMF780SN T/R <br>PMF780SN T/R-ND <br>

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PMF780SN,115|NXP SemiconductorsPMF780SN,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH 60V 570MA SOT-323
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无图PMF780SN 115
NXP Semiconductors		MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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PMF780SN,115|NXPPMF780SN,115
NXP		PMF 系列 60 V 0.92 mΩ 0.56 W N沟道 μTrenchMOS 标准电平 FET - SOT-323
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NXP		原厂原装货
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NXP		PMF 系列 60 V 0.92 mΩ 0.56 W N沟道 μTrenchMOS 标准电平 FET - SOT-323
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PMF780SN,115|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PMF780SN,115
制造商型号： PMF780SN,115
制造商： NXP
描述： PMF 系列 60 V 0.92 mΩ 0.56 W N沟道 μTrenchMOS 标准电平 FET - SOT-323
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
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由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 920 mΩ
  • Qg Gate Charge: 1.05 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.56 W

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