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PMDPB80XP
- 场效应管 MOSFET 双路 P沟道 20V SOT1118 - PMDPB80XP
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PMDPB80XP
制造商型号:
PMDPB80XP
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET 双路 P沟道 20V SOT1118
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET 双路 P沟道 20V SOT1118
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: -3.7A
漏源电压, Vds: -20V
在电阻RDS(上): 0.08ohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: -600mV
功耗, Pd: 485mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
针脚数: 8
MSL: MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
手机网站相关详细信息:
PMDPB80XP
旗下站点
www.szcwdz.cn
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PMDPB80XP
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www.szcwdz.com.cn
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型号: PMDPB80XP 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET 双路 P沟道 20V SOT1118
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