PHT8N06LT,135,PHT8N06LT,135|NXP Semiconductors代理分销-PHT8N06LT135原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | PHT8N06LT |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| PCN Design/Specification | Resin Hardener 02/Jul/2013 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.5A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 80 毫欧 @ 5A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11.2nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-7369-2 934054610135 PHT8N06LT /T3 PHT8N06LT /T3-ND PHT8N06LT,135-ND PHT8N06LT135 |
