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| PHT6N06LT,135 [更多] | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS: Compliant | 搜索 |
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| PHT6N06LT135 [更多] | NXP Semiconductors |
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| PHT6N06LT,135 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | NXP USA Inc. MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223 详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.5A（Ta） 1.8W（Ta），8.3W（Tc） SOT-223 型号：PHT6N06LT,135 仓库库存编号：568-7367-1-ND 别名：568-7367-1 | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | PHT6N06LT |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| PCN Design/Specification | Resin Hardener 02/Jul/2013 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.5A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 150 毫欧 @ 5A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.5nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 330pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 8.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-7367-2 934054630135 PHT6N06LT /T3 PHT6N06LT /T3-ND PHT6N06LT,135-ND PHT6N06LT135 |
