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PHK12NQ10T|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PHK12NQ10T
制造商型号： PHK12NQ10T
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N SO-8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 11.6A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 28mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 8.9W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: PHK12NQ10T
  • 功耗, Pd: 8.9W
  • 功耗, Pd: 8.9W
  • 外宽: 4.05mm
  • 外部深度: 5.2mm
  • 外部长度/高度: 1.75mm
  • 封装/箱盒: SOIC
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 排距: 6.3mm
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 11.6A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 100V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 48A
  • 表面安装器件: SMD
产地： DE Germany

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