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PHD82NQ03LT
- 场效应管 MOSFET N 30V D-PAK - PHD82NQ03LT
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PHD82NQ03LT
制造商型号:
PHD82NQ03LT
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET N 30V D-PAK
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
晶体管极性:?频道
电流, Id 连续: 75A
电压, Vds 最大: 30V
在电阻RDS(上): 8mohm
功耗, Pd: 136W
封装类型: D-PAK
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
SMD标号: PHD82NQ03LT
功率, Pd: 136W
封装类型: DPAK
封装类型, 替代: D-PAK
电流, Idm 脉冲: 240A
表面安装器件: 表面安装
产地: DE Germany
手机网站相关详细信息:
PHD82NQ03LT
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
PHD82NQ03LT
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: PHD82NQ03LT 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET N 30V D-PAK
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