PHD63NQ03LT,118,PHD63NQ03LT,118|NXP Semiconductors代理分销-PHD63NQ03LT118原装现货,PDF下载
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PHD63NQ03LT,118 [更多] | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PHD63NQ03LT%2C118 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 68.9A SOT428 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 68.9A（Tc） 111W（Tc） DPAK 型号：PHD63NQ03LT,118 仓库库存编号：PHD63NQ03LT,118-ND 别名：934057020118 <br>PHD63NQ03LT/T3 <br>PHD63NQ03LT/T3-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | PHB,PHD,PHP63NQ03LT |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 68.9A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 13 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.6nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 920pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 111W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 934057020118 PHD63NQ03LT/T3 PHD63NQ03LT/T3-ND |
