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PHD44N06LT
- 场效应管 MOSFET N D-PAK - PHD44N06LT
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PHD44N06LT
制造商型号:
PHD44N06LT
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET N D-PAK
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
晶体管极性:?频道
电流, Id 连续: 44A
电压, Vds 最大: 55V
功耗, Pd: 114W
封装类型: D-PAK
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
功率, Pd: 114W
功耗: 114W
封装类型: DPAK
封装类型, 替代: D-PAK
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
??功率温度: 25°C
电流, Idm 脉冲: 176A
表面安装器件: 表面安装
通态电阻, Rds on 最大: 28mohm
阈值电压, Vgs th 最高: 2V
产地: NE Niger
手机网站相关详细信息:
PHD44N06LT
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
PHD44N06LT
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: PHD44N06LT 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET N D-PAK
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Q Q:
800152669
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