典型栅极电荷@Vgs | 2.137 nC @ 10 V(P 沟道),6.24 nC @ 10 V(N 沟道) | |
典型输入电容值@Vds | 102 pF @ 50 V(N 沟道),45 pF @ 50 V(P 沟道) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4mm | |
封装类型 | SO | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.45mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1.8 W | |
最大栅源电压 | 20 V | |
最大漏源电压 | 300 V | |
最大漏源电阻值 | 17(P 沟道)Ω,6(N 沟道)Ω | |
最大连续漏极电流 | 0.235(P 沟道)A,0.34(N 沟道)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N,P | |
配置 | 双、双漏极 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.45mm |