PH5525L,115,PH5525L,115|NXP Semiconductors代理分销-PH5525L115原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | PH5525L |
|---|---|
| 产品相片 | 568-LFPAK-4,SOT669 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 81.7A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2150pF @ 12V |
| 功率 - 最大值 | 62.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 供应商器件封装 | LFPAK，Power-SO8 |
| 其它名称 | 934060924115 PH5525L T/R PH5525L T/R-ND |
