型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
PH3330L%2C11 | NXP | Transistor,MOSFET, N Channel,Single Triple Source,LFPAK5,PH3330L | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8 型号:PH3330L,115 仓库库存编号:PH3330L,115-ND 别名:934058817115 PH3330L T/R PH3330L T/R-ND | 无铅 | 搜索 |
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![]() | PH3330L 115 NXP Semiconductors | MOSFET TRENCH-3 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | PH3330L,11 NXP | Transistor,MOSFET, N Channel,Single Triple Source,LFPAK5,PH3330L![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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典型关断延迟时间 | 52 ns | |
典型接通延迟时间 | 41 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 28.5 nC V @ 4.5, 30.5 nC V @ 4.5 | |
典型输入电容值@Vds | 4840 pF V @ 12, 5380 pF V @ 0 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4.1mm | |
封装类型 | LFPAK | |
尺寸 | 5 x 4.1 x 1.1mm | |
引脚数目 | 5 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 62500 mW | |
最大栅源电压 | 20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 0.003 Ω | |
最大连续漏极电流 | 100 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单、三源 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.1mm |