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PH2520U
- 场效应管 MOSFET N 20V LFPAK - PH2520U
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PH2520U
制造商型号:
PH2520U
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET N 20V LFPAK
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N 20V LFPAK
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 100A
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS(上): 2.1mohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 700mV
功耗, Pd: 62.5W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-669
针脚数: 4
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 62.5W
功耗, Pd: 62.5W
外宽: 5mm
外部深度: 6.2mm
外部长度/高度: 1.2mm
封装/箱盒: SOT-669
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
晶体管数: 1
栅极电荷 Qg N沟道: 78nC
温度 @ 电流测量: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 100A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
电压, Vds 典型值: 20V
电压, Vgs 最高: 10V
电流, Idm 脉冲: 300A
结温, Tj 最大值: 150°C
结温, Tj 最小值: -55°C
表面安装器件: SMD
通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 2.1mohm
通态电阻最大值: 2.7mohm
阈值电压, Vgs th 最低: 0.45V
产地: DE Germany
手机网站相关详细信息:
PH2520U
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
PH2520U
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息: 暂无相关型号
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型号: PH2520U 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET N 20V LFPAK
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